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美国范德堡大学三位教授访问西电并做学术报告
时间:2012-11-06 17:33    点击:   所属单位:微电子学院

    10月29日,应微电子学院刘红侠教授的邀请,美国范德堡大学(Vanderbilt University)工程学院院长Kenneth F. Galloway教授,空间与防御技术研究所所长Daniel M. Fleetwood教授以及电子与计算机学院院长Ronald Schrimpf教授等一行3人访问西电。
  当日上午,3位教授在北校区科技楼裙楼B302会议室分别做了学术报告。Galloway教授做了题为“Catastrophic failure of silicon power MOS in space(在太空工作的硅功率MOS器件灾难性的失效研究”的报告,分析了VDMOS器件的SEB和SEGR的形成原因和影响因素,并针对该种失效机制,讨论了两种有效的器件结构和测试方法。
  Schrimpf教授做了题为“Soft errors in advanced CMOS technologies(现代CMOS技术中的软误差失效分析)”的报告,讨论了引起新型的CMOS器件如FET, SiGe和FinFETs器件的软误差的原因,并生动的阐述了对于不同的器件结构,受损部位,产生误差的机理和预防措施。
  Fleetwood教授做了题为“Oxygen-related border traps in MOS and GaN devices(MOS和GaN器件中与氧相关的边界缺陷研究)”的报告,分析了新型的GaN器件中,由氧空位引起的陷阱。
  报告以其前沿性引起了与会师生的极大兴趣。师生们就报告的内容和自己研究中存在的问题积极提问,三位教授地进行了耐心细致地解答。
  报告会后,郝跃教授与三位教授进行了深入的学术讨论,双方均希望今后能够展开实质性的科研项目合作。
  Galloway教授1962年获得美国范德堡大学科学学士学位,1966年获得美国南卡罗莱纳大学博士学位;主要研究方向是固态器件、微电子器件和可靠性。Fleetwood教授于1980, 1981, 1984年分别获得美国普渡大学物理学专业学士,硕士和博士学位;1999年,晋升为范德堡大学电子工程学院教授,现为电气和电子工程师协会和美国物理学协会的会员;迄今已发表350多(部)篇关于微电子辐照方面的著作和论文,其中数十篇获得了杰出论文奖,并被引用了超过6300次。Schrimpf教授分别于1981,1984和1986年获得美国明尼苏达大学学士,硕士和博士学位;1986年,晋升为美国亚利桑那大学电子和计算机工程学院教授;1996年,担任范德堡大学电子工程学院教授,主要研究方向为微电子和半导体器件的辐照特性。

信息来源:http://news.xidian.edu.cn/view-35989.html

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