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ASIC VS DRAM 设计的区别
时间:2019-05-05 10:03    点击:   所属单位:微电子学院
讲座名称 ASIC VS DRAM 设计的区别
讲座时间 2019-05-09 15:00:00
讲座地点 西电北校区东大楼221报告厅
讲座人 林峰
讲座人介绍

林峰博士
1997.8-2000.5  美国爱达荷大学 电子工程 博士
1988-1995  电子科技大学(成都)本科&硕士
18+年动态存储器(DRAM)先进研发经验
现任长鑫存储技术有限公司设计研发部总工程师
专长技术领域以及成就:18年以上混模芯片设计和内存接口设计的经验,擅长全定制的晶体管级高速低功耗内存接口和时钟电路设计;设计的内存及接口技术涵盖各种主流产品,例如DDR4/5, LPDDR4/5, GDDR6, 以及2.5D/3D的堆叠式HBM/HMC;研发的领域包括:高速低功耗内存接口, 系统级的信号及电源完整性的分析,新系统/存储器构架(如AI,大数据)等;拥有超过119项美国专利局授予的专利;在IEEE专业杂志及论坛上发表多篇有影响力的文章。

 

讲座内容
动态存储器 DRAM 作为存放数据的半导体芯片已经演变了 40 多年。近年来随着云计算,人工智能,大数据,移动应用和智慧城市的蓬勃发展,DRAM 成为不可或缺的重要一环,在2018 年 DRAM 产值全球接近 1000 亿美金,成为半导体业连续几年排名第一的产品类别。中国作为全球最大的 DRAM 消费市场,所用产品则完全依赖进口。本次讲座介绍存储器的基本知识,DRAM 产业的现状,DRAM 技术和专用集成电路(ASIC)的区别,以及 DRAM 发展的方向。作为国内唯一专注于 DRAM 产品的研发和生产制造的 IDM 公司,长鑫存储科技也真诚地欢迎您的关注,并热情地邀请您的加入。
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