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后摩尔时代的低功耗新器件技术
时间:2018-11-20 08:30    点击:   所属单位:微电子学院
讲座名称 后摩尔时代的低功耗新器件技术
讲座时间 2018-11-21 15:00:00
讲座地点 北校区阶梯教室J-112
讲座人 黄如
讲座人介绍 黄如,中国科学院院士,IEEE Fellow。现为北京大学信息科学技术学院院长、国家自然基金委创新群体带头人。长期从事半导体新器件及其应用研究,主要包括低功耗新结构新原理器件/新型神经形态器件及相关技术、器件/电路可靠性与波动性、关键共性工艺等。已合作出版著作5本,发表学术论文250余篇,迄今在微电子器件领域标志性国际会议IEDM、VLSI和标志性期刊EDL、TED上发表70余篇论文(自2007年以来至今连续12年在IEDM上发表论文32篇),多项研究成果连续被列入四个版本的国际半导体技术发展路线图ITRS。应邀做国际会议大会和特邀报告40余次;获240余项授权发明专利(其中授权美国专利49项)。曾获国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖、北京市科学技术一等奖、教育部自然科学一等奖、教育部科技进步一等奖、中国青年科技奖等多项国家和部委级奖励。
讲座内容
Emerging Devices for Different Low Power Applications in Post-Moore Era
后摩尔时代的低功耗新器件技术

报告首先介绍后摩尔时代IC技术的发展趋势和面临挑战,重点介绍面向低功耗高性能应用和极低功耗应用电路系统,电子器件在结构材料和工作机理上发生和可能发生的新变化,并讨论面向计算存储融合的下一代低功耗计算架构的新器件技术,展望新器件技术的未来发展潜力。
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