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GaN压电光电子器件
时间:2018-11-04 10:32    点击:   所属单位:先进材料与纳米科技学院
讲座名称 GaN压电光电子器件
讲座时间 2018-11-07 10:00:00
讲座地点 南校区G楼119报告厅
讲座人 胡卫国
讲座人介绍 胡卫国,中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员,微纳能源与传感北京市重点实验室副主任。2007年博士毕业于中国科学院半导体研究所,2007-2013年任日本三重大学(Mie Univ.)、神户大学(Kobe Univ.)、东北大学(Tohoku Univ.)博士后和助理教授,2013年任中科院北京纳能所研究员。研究方向为半导体材料外延、光电子器件数值计算和研制。迄今为止在Science advancesAdvanced MaterialsMaterials Horizons等学术期刊发表论文60余篇,在IEDM40多个学术会议上报告研究工作。入选中国科学院百人计划和北京市海聚工程。
讲座内容 压电/自发极化效应是制约发光二极管、太阳能电池、高电子迁移率晶体管等(光)电子器件性能的关键因素。近年来人机交互技术和可穿戴电子设备的迅猛发展,压电极化效应也提供了微纳电子/光电子器件与外界机械应变实现有效、灵活、无缝交互的新途径。本研究进一步发展了III族氮化物压电光电子器件的能带理论模型,研究了压电极化电场中的量子跃迁的动态过程,探讨了压电极化电场和表面等离子激元的耦合效应。在此基础上,利用压电能带工程补偿Micro-LED中高温工作中的热退化、提高可见光光通信中的调制带宽和太阳能电池的转换效率。这些研究加深了对III族氮化物能带工程的理解和认识,为进一步提高氮化物光电子器件性能和探索新的应用提供了新思路。
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