集成芯片系统级静电保护设计
| 讲座名称 | 集成芯片系统级静电保护设计 |
| 讲座时间 | 2017-03-24 14:00:00 |
| 讲座地点 | 北校区阶教J114 |
| 讲座人 | 陈中 |
| 讲座人介绍 |  美国阿肯色大学电子工程系副教授。美国北卡罗来纳州立大学博士，新加坡国立大学硕士，浙江大学本科。曾任职于美国德州仪器公司模拟技术研发部，负责集成芯片静电保护的研发。在德州仪器任职的七年期间，为汽车电子，功率模块，高速芯片，接口芯片等提供完善的静电保护方案。现任 IEEE IRPS 和 EOS/ESD Symposium技术委员会成员。研究内容包括新型极端环境半导体器件，集成芯片及系统级静电保护及可靠性，功率电子及功率器件，宽带隙半导体材料，器件及封装。 |
| 讲座内容 | This presentation will focus on IC and system level ESD standards, on-chip ESD design considerations for low voltage ICs, ESD design windows, and typical ESD protection structures in low voltage ICs. Special attention will be placed on the transient response of RC-triggered ESD clamp and the gate oxide reliability. The ESD robustness of novel wide-bandgap devices will also be discussed. |
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