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Silicon Carbide Power Electronics
时间:2017-10-16 13:39    点击:   所属单位:电子工程学院
讲座名称 Silicon Carbide Power Electronics
讲座时间 2017-10-16 16:30:00
讲座地点 北校区科技楼一楼学术报告厅
讲座人 洪思忠 教授, University of Arkansas
讲座人介绍 洪思忠教授获得美国南圣母大学(Southern Methodist University)电子工程博士学位,美国乔治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)电子工程硕士学位,美国阿肯色大学(University of Arkansas)电子工程学士学位。国家第十批“千人计划”、国家特聘专家、美国阿肯色大学终身教授、博士生导师、指导过100多名研究生及博士生、高密度电子中心主任。洪教授长期从事电力电子、碳化硅电力电子模块封装、高频低温陶瓷封装、混合信号集成电路、纳米材料、传感器、脑微探针、和电化学等方面的教学和科研工作。美国电气和电子工程师协会(Institute of Electrical and Electronics Engineers, USA)、英国工程技术学会 (Institute of Engineering and Technology, UK)、美国电化学学会 (The Electrochemical Society, USA)学会的会士 (Fellow) 、英国伦敦城市行业协会(City and Guilds of London Institute, UK)的院士。 发表论文和报告315余篇,出版著作3部,获得相关专利10项。
讲座内容
Silicon carbide (SiC) is regarded as the third generation power semiconductor.  SiC has a wide bandgap energy, as such it can operate at higher temperatures.  Other desired characteristics are higher breakdown voltage, higher switching speeds, and higher current density than its silicon counterparts.  This presentation will present the characteristics of SiC device in power electronic circuits.  Due to its high switching speed, these SiC circuits are prone to effects of parasitic circuit elements and electromagnetic interference.  The design of the power electronic modules and circuit layout are discussed.  Several SiC power electronic circuits and systems will be discussed.  The prospects of SiC integrated circuits will be briefly discussed.  Finally, this presentation will introduce the research and development activities of the High Density Electronic Center at the University of Arkansas.
西安电子科技大学电子工程学院
超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室
2011信息感知协同创新中心
天线与微波技术重点实验室
国际交流与合作处
IEEE Xi'an Section, AP/MTT-Chapter
 
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