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微光刻、电子束光刻及标准化技术
时间:2017-04-17 20:48    点击:   所属单位:先进材料与纳米科技学院
讲座名称 微光刻、电子束光刻及标准化技术
讲座时间 2017-04-21 16:00:00
讲座地点 南校区G楼118报告厅
讲座人 陈宝钦
讲座人介绍 陈宝钦,男,1942年生,1966年毕业于北京大学物理系;1968-1985年服务于中国科学院半导体研究所;1985年至今服务于中国科学院微电子研究所,研究员,博士生导师;中国科学院大学教授。兼职:全国半导体设备与材料标准化技术委员会副主任委员、微光刻分技术委员会秘书长;全国纳米科学技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组副秘书长;北京电子学会半导体专业委员会委员副主任委员、制版分会主任;中国科学院老科技工作者协会理事、微电子分会理事长。主要从事光掩模技术、电子束光刻技术、微纳加工技术和微光刻技术的研究。
讲座内容 国际上,以Intel 公司为代表的集成电路芯片大生产已经进入10nm工艺节点。我国以中芯国际为代表的集成电路芯片生产也达到28nm,正在开发7-10nm的工艺技术。我国科研院所和高等院校的科技工作者也在与国际同步地开展纳米CMOS集成电路工艺技术的研究,成功地演示了20纳米的电路和器件,并且也正在开展1X纳米的工艺技术研究。由于国内目前还不可能应用上EUVL和MEBL等新一代光刻设备,所以从22nm到1Xnm尺度的集成电路和器件的研究工作离不开电子束光刻技术。虽然电子束光刻可以有很高的分辨率,在实验室开展纳米加工技术研究中起到不可替代的作用。但是,由于曝光效率很低,无法应用在纳米CMOS集成电路芯片的大生产中。为了解决电子束曝光效率低的问题,需要采用光学曝光和电子束曝光的匹配和混合光刻的方法。也就是说,把所有能够用现在光学光刻技术能够实现的工艺,仍然由传统的光学光刻技术进行制造,只有纳米级的结构的工艺层或者部分图形交由电子束直写来实现。然而,电子束直写技术本身也还有许多需要解决的问题:如由于散射与背散射电子引起的电子邻近效应校正的问题;绝缘体或者不导电介质膜在电子束曝光中电荷积累的问题;电子光学系统、曝光-显影工艺条件、环境空间磁场、温度、电压的种种波动、漂移造成的电子束曝光偏移的问题,纳米级高深宽比抗蚀剂结构图形坍塌的问题,以及纳米级高分辨率、高抗刻蚀性能的电子抗蚀剂的开发问题。我国在微光刻领域有两个相关的标准化技术委员会,一个是全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会,另一个是纳米科学标准化技术委员会微纳米加工工作组。正在进行着与国际标准化技术相接轨的研究工作。
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